Introducción

A medida que los vuelos espaciales comerciales siguen creciendo, las naves espaciales necesitan cada vez más energía eléctrica. La fotovoltaica espacial sirve como la principal fuente de energía para la mayoría de las naves espaciales, por lo que la elección de la tecnología de células solares influye directamente en el éxito de la misión, su rentabilidad y su competitividad en el mercado.

En este momento, existen tres direcciones tecnológicas principales: arseniuro de galio (GaAs), heterounión tipo p (HJT) y células tándem de HJT tipo p/perovskita. Observando hacia dónde se dirige la tecnología y su potencial a largo plazo, y analizando los pros y contras principales de cada ruta, el GaAs sigue siendo la mejor opción. A pesar de los desafíos de costo, su rendimiento integral inigualable, su confiabilidad probada en entornos extremos y su claro y considerable margen de reducción de costos hacen del GaAs la mejor elección para misiones espaciales comerciales de alto valor y alta confiabilidad, tanto hoy como en los próximos 3 a 5 años.

Las Ventajas de las Células de Triple Unión de GaAs

Alta eficiencia

El bandgap del GaAs (1.42 eV) se encuentra justo en el rango teóricamente óptimo. Además, las células multiunión apilan capas de GaInP, GaAs y Ge que absorben fotones de alta, media y baja energía respectivamente, lo que amplía enormemente el espectro que pueden utilizar. Las últimas células de GaAs de triple unión para fotovoltaica espacial alcanzan eficiencias de conversión de potencia superiores al 30%.

Alta confiabilidad

La fuerte resistencia a la radiación y la excelente estabilidad a altas temperaturas hacen que estas células sean perfectas para las necesidades centrales de misiones de larga duración y alta gama. La ventaja en rendimiento es suficiente para compensar el mayor costo.

Tecnología madura con un largo historial en órbita

En 1965, el satélite Venera 3 de la antigua Unión Soviética se convirtió en el primero en utilizar células de GaAs. En 1995, el primer satélite de comunicaciones comercial MEASAT utilizó GaAs de unión simple como su unidad de potencia principal, y el diseño del panel solar construyó una base de datos completa que demostró que las células de GaAs podían satisfacer las necesidades de energía durante todo el ciclo de vida de una nave espacial. A partir de entonces, las células de GaAs reemplazaron gradualmente a las células más antiguas como unidad básica generadora de energía en las naves espaciales, evolucionando paso a paso desde diseños de unión simple a múltiples uniones.

¿Por qué diseñarlo como una estructura de triple unión?

Cualquier material semiconductor solo puede absorber eficientemente fotones con energía mayor que su banda prohibida. Los fotones con muy poca energía no se pueden utilizar, mientras que los fotones con demasiada energía pierden el exceso como calor (pérdida por termalización). La banda prohibida de una célula de unión simple no puede coincidir perfectamente con el espectro solar. Tomemos como ejemplo una célula de silicio de unión simple: puede absorber fotones en el rango de 0.3-1.1 μm (300 nm-1100 nm), trabajando principalmente en la banda de 0.38 μm-0.7 μm. Por eso las células de silicio de unión simple tienen un límite de eficiencia limitado, con un límite teórico de alrededor del 29.7%.

Una célula de triple unión divide el trabajo entre tres subcélulas, dividiendo el espectro solar en tres segmentos para que cada subcélula opere en su banda más adecuada. Esto reduce drásticamente tanto las pérdidas por termalización como las pérdidas por desajuste espectral. En teoría, las células de múltiples uniones pueden alcanzar una eficiencia cercana al 50%, mucho más alta que la que puede ofrecer una estructura de unión simple.

La estructura de una célula de GaAs de triple unión

La célula de GaAs de triple unión se divide en tres partes: la célula superior, la célula media y la célula inferior. Cada parte utiliza diferentes materiales principales (región base) y desempeña un papel diferente.

Célula superior

Generalmente AlGaInP / GaInP, con una banda prohibida alrededor de 1.8-1.9 eV. Absorbe principalmente fotones de longitud de onda corta (ultravioleta, luz azul). La célula superior absorbe fotones de alta energía y reduce las pérdidas por termalización.

Célula media

Generalmente InGaAs o GaAs, con una banda prohibida alrededor de 1.42 eV. Absorbe principalmente fotones de longitud de onda media y larga (luz verde, amarilla, roja). La célula media maneja las longitudes de onda medias a largas y contribuye con la mayor parte de la fotocorriente.

Célula inferior

Generalmente Ge, con una banda prohibida alrededor de 0.67 eV. Absorbe principalmente fotones de longitud de onda larga (infrarrojo cercano). La célula inferior captura la luz infrarroja altamente penetrante.

Ahora veamos qué hace cada capa.

① Capa de contacto

Situada justo encima de la capa Cap más externa, esta es la capa semiconductora que toca directamente el electrodo metálico. Generalmente está fuertemente dopada con n⁺⁺-GaAs o n⁺⁺-GaInP. Su función principal es reducir la resistencia de contacto: el dopaje intenso ayuda a formar un buen contacto óhmico con el electrodo metálico y reduce las pérdidas eléctricas. También protege la región activa, aislando el electrodo metálico de la delicada región activa inferior (capa ventana, emisor, etc.) para evitar daños durante el proceso.

② Capa Cap

Ubicada sobre la capa ventana y debajo del recubrimiento antirreflectante, entre la película antirreflectante y la capa de contacto. Comúnmente es GaAs, aunque algunos diseños utilizan óxidos conductores transparentes (TCO) como ITO. Su función principal es ayudar en la recolección de corriente como un "electrodo auxiliar", trabajando con la capa de contacto para recolectar y conducir la corriente lateralmente, especialmente útil en diseños de rejilla de líneas finas. Su espesor e índice de refracción también se pueden ajustar para participar en el diseño óptico y proporcionar un efecto antirreflectante auxiliar.

③ Capa Ventana

Ubicada sobre el emisor, generalmente hecha de AlInP, AlGaInP o AlGaAs. Su función principal es reducir la recombinación superficial: el material de banda ancha absorbe poca luz y forma una unión alta-baja que empuja los portadores fotogenerados (electrones) hacia el interior del emisor, reduciendo las pérdidas por recombinación en defectos superficiales. También actúa como un "paraguas", protegiendo la región de la unión de daños durante procesos posteriores como la evaporación de electrodos.

④ Emisor

Ubicado debajo de la capa ventana y sobre la base, formando una unión PN con la base. Generalmente es GaInP o GaAs tipo N. Su función principal es actuar como "electrodo positivo", recolectando electrones fotogenerados y conduciéndolos al circuito externo. También equilibra la absorción de luz con la recolección: mediante un ajuste cuidadoso del espesor y la concentración de dopaje, es lo suficientemente grueso para absorber luz de longitud de onda corta, pero no tanto como para que los portadores se recombinen durante la difusión.

⑤ Base

Ubicada debajo del emisor y sobre la capa BSF, esta es la parte principal de la unión PN. Generalmente es GaInP o AlGaInP tipo p. Como la región principal de absorción de luz, es el "caballo de batalla" de la celda superior, absorbiendo la mayor parte de la luz de longitud de onda corta (azul y ultravioleta), generando pares electrón-hueco fotogenerados y transportando eficientemente los huecos fotogenerados hacia la capa BSF trasera o el electrodo.

⑥ Capa BSF (Campo Superficial Trasero)

Ubicada debajo de la base y sobre la unión túnel, formando una unión alta-baja con la base en la parte posterior. El material suele ser un p-AlGaInP, AlGaAs de banda ancha, entre otros. Su función principal es suprimir la recombinación inversa de portadores: la capa BSF crea una "barrera" en la parte posterior de la base que evita que los huecos fotogenerados se recombinen mientras se difunden hacia el electrodo posterior, aumentando así el voltaje y la eficiencia.

⑦ Reflector

Ubicado entre la celda superior y la celda media, o entre la celda media y la celda inferior. Es un Reflector de Bragg Distribuido (DBR) cultivado a partir de materiales alternados de alto y bajo índice de refracción, como AlAs/AlGaAs o AlInP/AlGaInP. Su trabajo principal es reflejar la luz de longitud de onda media a larga que las celdas superior y media no han absorbido y está a punto de escapar, permitiendo una segunda pasada de absorción que eleva la corriente y la eficiencia generales.

⑧ Unión Túnel

Ubicada entre las subceldas, hecha de capas delgadas fuertemente dopadas (como n++GaAs / p++GaAs). Como un "túnel cuántico", permite que los portadores fotogenerados pasen eficientemente mientras mantiene cada subcelda eléctricamente independiente.

La estructura de la celda media es similar a la de la celda superior, solo que con diferentes materiales, por lo que no la repetiremos aquí. A continuación, cubrimos brevemente lo que es diferente en la celda inferior.

⑨ Capa Amortiguadora

Intercalada entre la celda inferior y la celda media, resuelve el problema de desajuste de red. Cuando el material de la celda inferior (como InGaAs) no coincide con la constante de red del material superior (como GaAs), la capa amortiguadora utiliza una estructura "graduada" o "de red metamórfica" para liberar gradualmente la tensión e "interceptar" las dislocaciones de hilo, manteniéndolas fuera de la región activa de la celda inferior y mejorando así el rendimiento de la celda.

⑩ Base de la Celda Inferior

Ubicada en el lado "grueso" de la unión PN de la celda inferior. Generalmente es un sustrato de Ge tipo p. Su función principal es absorber la luz infrarroja de longitud de onda larga, sirviendo como el caballo de batalla para generar portadores fotogenerados en la celda inferior.

Algunas Notas

En las etiquetas de tipo P/N, N++/P++ y marcas similares indican dopaje ligero versus pesado. La estructura de celda GaAs de triple unión ilustrada en este artículo omite la estructura de electrodos, la estructura de capa antirreflectante y detalles similares por simplicidad.

Referencias:

• Célula solar de triple unión con reflector y su método de fabricación - 2022-0804

• Célula solar de triple unión InGaP/InGaAs/Ge con estructura antirreflectante micro-nano y su método de fabricación - 2018-0425

• Un método para una célula solar de triple unión y la célula solar de triple unión - 2020-11-13

Opinión de Ooitech

Ooitech cree: las células GaAs de triple unión, al dividir el espectro solar en tres subcélulas, ofrecen la alta eficiencia y la fiabilidad probada que las convierten en la opción líder para las misiones espaciales de alta potencia de hoy en día.